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工程師不可不知的開關(guān)電源關(guān)鍵設(shè)計(jì)(三)

牽涉到開關(guān)電源技術(shù)設(shè)計(jì)或分析成為電子工程師的心頭之痛已是不爭的事實(shí),由于廣大工程師網(wǎng)友對前兩期的熱烈反響,電子發(fā)燒友再接再厲推出《工程師不可不知的開關(guān)電源關(guān)鍵設(shè)計(jì)》系列三和工程師們一起分享,請各位繼續(xù)關(guān)注后續(xù)章節(jié)。

  一、開關(guān)電源的電磁兼容性技術(shù)分析

  1 引言

  電磁兼容是一門新興的跨學(xué)科的綜合性應(yīng)用學(xué)科。作為邊緣技術(shù),它以電氣和無線電技術(shù)的基本理論為基礎(chǔ),并涉及許多新的技術(shù)領(lǐng)域,如微波技術(shù)、微電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、通信和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)以及新材料等。電磁兼容技術(shù)應(yīng)用的范圍很廣,幾乎所有現(xiàn)代化工業(yè)領(lǐng)域,如電力、通信、交通、航天、軍工、計(jì)算機(jī)和醫(yī)療等都必須解決電磁兼容問題。其研究的熱點(diǎn)內(nèi)容主要有:電磁干擾源的特性及其傳輸特性、電磁干擾的危害效應(yīng)、電磁干擾的抑制技術(shù)、電磁頻譜的利用和管理、電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范、電磁兼容性的測量與試驗(yàn)技術(shù)、電磁泄漏與靜電放電等。

  電磁兼容的英文名稱為Electromagnetic Compatibility,簡稱EMC。所謂電磁兼容是指設(shè)備(分系統(tǒng)、系統(tǒng))在共同的電磁環(huán)境中能一起執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài)。這里包含兩層意思,即它工作中產(chǎn)生的電磁輻射要限制在一定水平內(nèi),另外它本身要有一定的抗干擾能力。這便是設(shè)備研制中所必須解決的兼容問題。電磁兼容技術(shù)涉及的頻率范圍寬達(dá)0 GHz ~400GHz,研究對象除傳統(tǒng)設(shè)備外,還涉及芯片級,直到各種艦船、航天飛機(jī)、洲際導(dǎo)彈甚至整個地球的電磁環(huán)境。

  電磁兼容三要素是干擾源(騷擾源)、耦合通路和敏感體。切斷以上任何一項(xiàng)都可解決電磁兼容問題,電磁兼容的解決常用的方法主要有屏蔽、接地和濾波。

  2 電磁兼容技術(shù)名詞

 。1)電磁兼容性

  電磁兼容性是指設(shè)備或者系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作,且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。

  (2)電磁騷擾

  電磁騷擾是指任何可能引起設(shè)備、裝備或系統(tǒng)性能降低或者對有生命或者無生命物質(zhì)產(chǎn)生損害作用的電磁現(xiàn)象。電磁騷擾可引起設(shè)備、傳輸通道或系統(tǒng)性能的下降。它的主要要素有自然和人為的騷擾源、通過公共地線阻抗/內(nèi)阻的耦合、沿電源線傳導(dǎo)的電磁騷擾和輻射干擾等。電子系統(tǒng)受干擾的路徑為:經(jīng)過電源,通過信號線或控制電纜、場滲透,經(jīng)過天線直接進(jìn)入;通過電纜耦合,從其他設(shè)備來的傳導(dǎo)干擾;電子系統(tǒng)內(nèi)部場耦合;其他設(shè)備的輻射干擾;電子設(shè)備外部耦合到內(nèi)部場;寬帶發(fā)射機(jī)天線系統(tǒng);外部環(huán)境場等。

 。3)電磁環(huán)境

  電磁環(huán)境是一種明顯不傳送信息的時變電磁現(xiàn)象,它可能與有用信號疊加或組合。

 。4)電磁輻射

  電磁輻射是指電磁波由源發(fā)射到空間的現(xiàn)象!半姶泡椛洹币辉~的含義有時也可引申,將電磁感應(yīng)現(xiàn)象也包含在內(nèi)。RFI/EMI可以通過任何一種設(shè)備機(jī)殼的開口、通風(fēng)孔、出入口、電纜、測量孔、門框、艙蓋、抽屜和面板以及機(jī)殼的非理想連接面等進(jìn)行輻射。RFI/EMI也可由進(jìn)入敏感設(shè)備的導(dǎo)線和電纜進(jìn)行輻射,任何一個良好的電磁能量輻射器也可以作為良好的接收器。

 。5)脈沖

  脈沖是指在短時間內(nèi)突變,隨后又迅速返回至其初始值的物理量。

 。6)共模干擾和差模干擾

  電源線上的干擾有共模干擾和差模干擾兩種方式。共模干擾存在于電源任何一相對大地或電線對大地之間。共模干擾有時也稱縱模干擾、不對稱干擾或接地干擾。這是載流導(dǎo)體與大地之間的干擾。差模干擾存在于電源相線與中線及相線與相線之間。差模干擾也稱常模干擾、橫模干擾或?qū)ΨQ干擾。這是載流導(dǎo)體之間的干擾。共模干擾提示了干擾是由輻射或串?dāng)_耦合到電路中的,而差模干擾則提示了干擾是源于同一條電源電路。通常這兩種干擾是同時存在的,由于線路阻抗的不平衡,兩種干擾在傳輸中還會相互轉(zhuǎn)化,所以情況十分復(fù)雜。干擾經(jīng)長距離傳輸后,差模分量的衰減要比共模大,這是因?yàn)榫間阻抗與線-地阻抗不同的緣故。出于同一原因,共模干擾在線路傳輸中還會向鄰近空間輻射,而差模則不會,因此共模干擾比差模更容易造成電磁干擾。不同的干擾方式要采取不同的干擾抑制方法才有效。判斷干擾方法的簡便方法是采用電流探頭。電流探頭先單獨(dú)環(huán)繞每根導(dǎo)線,得出單根導(dǎo)線的感應(yīng)值,然后再環(huán)繞兩根導(dǎo)線(其中一根是地線),探測其感應(yīng)情況。如感應(yīng)值是增加的,則線路中干擾電流是共模的;反之則是差模的。

 。7)抗擾度電平和敏感性電平

  抗擾度電平是指將某給定的電磁騷擾施加于某一裝置、設(shè)備或者系統(tǒng)并使其仍然能夠正常工作且保持所需性能等級時的最大騷擾電平。也就是說,超過此電平時該裝置、設(shè)備或者系統(tǒng)就會出現(xiàn)性能降低。而敏感性電平是指剛剛開始出現(xiàn)性能降低的電平。所以,對某一裝置、設(shè)備或者系統(tǒng)而言,抗擾度電平與敏感性電平是同一數(shù)值。

 。8)抗擾度裕量

  抗擾度裕量是指裝備、設(shè)備或者系統(tǒng)的抗擾度電平限值與電磁兼容電平之間的插值。

  3 開關(guān)電源的電磁兼容性

  開關(guān)電源因工作在高電壓大電流的開關(guān)工作狀態(tài)下,引起電磁兼容性問題的原因是相當(dāng)復(fù)雜的。從整機(jī)的電磁性講,主要有共阻抗耦合、線間耦合、電場耦合、磁場耦合及電磁波耦合幾種。共阻耦合主要是騷擾源與受騷擾體在電氣上存在的共同阻抗,通過該阻抗使騷擾信號進(jìn)入受騷擾體。線間耦合主要是產(chǎn)生騷擾電壓及騷擾電流的導(dǎo)線或PCB線因并行布線而產(chǎn)生的相互耦合。電場耦合主要是由于電位差的存在,產(chǎn)生感應(yīng)電場對受騷擾體產(chǎn)生的場耦合。磁場耦合主要是指在大電流的脈沖電源線附近,產(chǎn)生的低頻磁場對騷擾對象產(chǎn)生的耦合。電磁場耦合主要是由于脈動的電壓或電流產(chǎn)生的高頻電磁波通過空間向外輻射,對相應(yīng)的受騷擾體產(chǎn)生的耦合。實(shí)際上,每一種耦合方式是不能嚴(yán)格區(qū)分的,只是側(cè)重點(diǎn)不同而已。

  在開關(guān)電源中,主功率開關(guān)管在很高的電壓下,以高頻開關(guān)方式工作,開關(guān)電壓及開關(guān)電流均接近方波,從頻譜分析知,方波信號含有豐富的高次諧波。該高次諧波的頻譜可達(dá)方波頻率的1000次以上。同時,由于電源變壓器的漏電感及分布電容以及主功率開關(guān)器件的工作狀態(tài)非理想,在高頻開或關(guān)時,常常產(chǎn)生高頻高壓的尖峰諧波震蕩。該諧波震蕩產(chǎn)生的高次諧波,通過開關(guān)管與散熱器間的分布電容傳入內(nèi)部電路或通過散熱器及變壓器向空間輻射。用于整流及續(xù)流的開關(guān)二極管,也是產(chǎn)生高頻騷擾的一個重要原因。因整流及續(xù)流二極管工作在高頻開關(guān)狀態(tài),二極管的引線寄生電感、結(jié)電容的存在以及反向恢復(fù)電流的影響,使之工作在很高的電壓及電流變化率下,且產(chǎn)生高頻震蕩。整流及續(xù)流二極管一般離電源輸出線較近,其產(chǎn)生的高頻騷擾最容易通過直流輸出線傳出。開關(guān)電源為了提高功率因數(shù),均采用了有源功率因數(shù)校正電路。同時,為了提高電路的效率及可靠性,減少功率器件的電應(yīng)力,大量采用了軟開關(guān)技術(shù)。其中零電壓、零電流或零電壓/零電流開關(guān)技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。該技術(shù)極大的降低了開關(guān)器件所產(chǎn)生的電磁騷擾。但是,軟開關(guān)無損吸收電路多數(shù)利用L、C進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移,利用二極管的單向?qū)щ娦阅軐?shí)現(xiàn)能量的單向轉(zhuǎn)換,因此,該諧振電路中的二極管成為電磁騷擾的一大騷擾源。

  開關(guān)電源一般利用儲能電感及電容器組成L、C濾波電路,實(shí)現(xiàn)對差模及共模騷擾信號的濾波。由于電感線圈的分布電容,導(dǎo)致了電感線圈的自諧振頻率降低,從而使大量的高頻騷擾信號穿過電感線圈,沿交流電源線或直流輸出線向外傳播。濾波電容器隨著騷擾信號頻率的上升,引線電感的作用導(dǎo)致電容量及濾波效果不斷的下降,甚至導(dǎo)致電容器參數(shù)改變,也是產(chǎn)生電磁騷擾的一個原因。

  4 電磁兼容性的解決方法

  從電磁兼容的三要素講,要解決開關(guān)電源的電磁兼容性問題,可從三個方面入手:第一,減小騷擾源產(chǎn)生的騷擾信號;第二,切斷騷擾信號的傳播途徑;第三,增強(qiáng)受騷擾體的抗騷擾能力。在解決開關(guān)電源內(nèi)部的兼容性時,可以綜合利用上述三個方法,以成本效益比及實(shí)施的難易性為前提。因而,開關(guān)電源產(chǎn)生的對外騷擾,如電源線諧波電流、電源線傳導(dǎo)騷擾、電磁場輻射騷擾等只能用減小騷擾源的方法來解決。一方面,可以增強(qiáng)輸入/輸出濾波電路的設(shè)計(jì),改善APFC電路的性能,減小開關(guān)管及整流、續(xù)流二極管的電壓、電流變化率,采用各種軟開關(guān)電路拓?fù)浼翱刂品绞降;另一方面,加?qiáng)機(jī)殼的屏蔽效果,改善機(jī)殼的縫隙泄漏,并進(jìn)行良好的接地處理。而對外部的抗騷擾能力(如浪涌、雷擊)應(yīng)優(yōu)化交流電輸入及直流輸出端口的防雷能力。通常,對1.2/50µs開路電壓及8/20µs短路電流的組合雷擊波形,因能量較小,通常采用氧化鋅壓敏電阻與氣體方電管等的組合方法來解決。對于靜電放電,通常在通信端口及控制端口的小信號電路中,采用TVS管及相應(yīng)的接地保護(hù)、加大小信號電路與機(jī)殼等的電距離來解決或選用具有抗靜電騷擾的器件?焖偎沧冃盘柡泻軐挼念l譜,很容易以共模的方式傳入控制電路內(nèi),采用與防靜電相同的方法并減小共模電感的分布電容、加強(qiáng)輸入電路的共模信號濾波(加共模電容或插入損耗型的鐵氧體磁環(huán)等)來提高系統(tǒng)的抗擾性能。

  減小開關(guān)電源的內(nèi)部騷擾,實(shí)現(xiàn)其自身的電磁兼容性,提高開關(guān)電源的穩(wěn)定性及可靠性,應(yīng)從以下幾個方面入手:①注意數(shù)字電路與模塊電路PCB布線的正確分區(qū);②數(shù)字電路與模擬電路電源的去耦;③數(shù)字電路與模擬電路單點(diǎn)接地、大電流電路與小電流特別是電流電壓取樣電路的單點(diǎn)接地以減小共阻騷擾,減小地環(huán)地影響,布線時注意相鄰線間的間距及信號性質(zhì),避免產(chǎn)生串?dāng)_,減小輸出整流回路及續(xù)流二極管回路與支流濾波電路所包圍的面積,減小變壓器的漏電、濾波電感的分布電容,運(yùn)用諧振頻率高的濾波電容器等。

  5 濾波器結(jié)構(gòu)

  濾波是一種抑制傳導(dǎo)干擾的方法。例如,在電源輸入端接上濾波器,可以抑制來自電網(wǎng)的噪聲對電源本身的侵害,也可以抑制由開關(guān)電源產(chǎn)生并向電網(wǎng)反饋的干擾。電源濾波器作為抑制電源線傳導(dǎo)干擾的重要單元,在設(shè)備或系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計(jì)中具有極其重要的作用。它不僅可以抑制傳輸線上的傳導(dǎo)干擾,同時對傳輸線上的輻射發(fā)射也具有顯著的抑制效果。在濾波電路中,選用穿心電容、三端電容、鐵氧體磁環(huán),能夠改善電路的濾波特性。進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)或選擇合適的濾波器,并正確的安裝濾波器是抗干擾技術(shù)的重要組成部分。在交流電輸入端加裝的電源濾波器電路如圖1所示。圖中Ld、Cd用于抑制差模噪聲,一般取Ld為100 mH -700mH,Cd取1µF -10µF。Lc、Cc用于抑制共模噪聲,可根據(jù)實(shí)際情況加以調(diào)整。

  所有電源濾波器都必須接地(廠家特別說明允許不接地的除外),因?yàn)闉V波器的共模旁路電容必須在接地時才起作用。一般的接地方法是除了將濾波器與金屬外殼相接之外,還要用較粗的導(dǎo)線將濾波器外殼與設(shè)備的接地點(diǎn)相連。接地阻抗越低,濾波效果越好。

  濾波器盡量安裝在靠近電源入口處。濾波器的輸入及輸出端要盡量遠(yuǎn)離,避免干擾信號從輸入端直接耦合到輸出端。

  如在電源輸出端加輸出濾波器、加裝高頻電容、加大輸出濾波電感的電感量及濾波電容的容量,則可以抑制差模噪聲。如果把多個電容并聯(lián),則效果會更好。

  幾種濾波器的構(gòu)成如圖2所示。在圖2(a)中,阻抗Z=1/(ωC1),高頻區(qū)域用陶瓷電容、聚酯薄膜電容并聯(lián),其濾波效果更好。圖2(b)中,噪聲能通過電容旁路到地線上,這種濾波器連接時應(yīng)使接地阻抗盡量小。圖2(c)中,C1、C2對不對稱噪聲有良好的濾波效果,C3對對稱噪聲有良好的濾波效果,連接時應(yīng)使電容器的引線及接地線盡量短。圖2(d)為常用的噪聲濾波電路,L1、L2對噪聲呈現(xiàn)高阻抗,而C1則對噪聲呈現(xiàn)低阻抗。當(dāng)L1、L2采用共模電感結(jié)構(gòu)時,對對稱和非對稱噪聲都有較好的濾波效果。圖2(e)適用于共模噪聲進(jìn)行濾波,應(yīng)注意的是其接地阻抗同樣應(yīng)盡量小。

  圖3是對共模噪聲和差模噪聲都有效的濾波器電路。其中,L1、L2、C1為抑制差模噪聲回路,L3、C2、C3構(gòu)成抑制共模噪聲回路。L1、L2的鐵心應(yīng)選擇不易磁飽和的材料及M-F特性優(yōu)良的鐵心材料。C1使用陶瓷電容或聚酯薄膜電容,應(yīng)有足夠的耐壓值,其容量一般取0.22µF -0.47µF。L3為共模電感,對共模噪聲具有較高的阻抗、較好的抑制效果。

  6 EMI濾波器選用與安裝

  開關(guān)電源EMI濾波器中的4只電容器用了兩種不同的下標(biāo)“x”和“y”,不僅說明了它們在濾波網(wǎng)絡(luò)中的作用,還表明了它們在濾波網(wǎng)絡(luò)中的安全等級。無論是選用還是設(shè)計(jì)EMI濾波器,都要認(rèn)真的考慮Cx和Cy的安全等級。在實(shí)際應(yīng)用中,Cx電容接在單相電源線的L和N之間,它上面除加有電源額定電壓外,還會疊加L和N之間存在的EMI信號峰值電壓。因此,要根據(jù)EMI濾波器的應(yīng)用場合和可能存在的EMI信號峰值,正確選用適合安全等級的Cx電容器。Cy電容器是接在電源供電線L、N與金屬外殼(E)之間的,對于220V、50Hz電源,它除符合250V峰值電壓的耐壓要求外,還要求這種電容器在電氣和機(jī)械性能方面具有足夠的安全裕量,以避免可能出現(xiàn)的擊穿短路現(xiàn)象。

  EMI濾波器是具有互異性的,即把負(fù)載接在電源端還是負(fù)載端均可。在實(shí)際應(yīng)用中,為達(dá)到有效抑制EMI信號的目的,必須根據(jù)濾波器兩端將要連接的EMI信號源阻抗和負(fù)載阻抗來選擇該濾波器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和參數(shù)。當(dāng)EMI濾波器兩端阻抗都處于失配狀態(tài)時,即圖4中Zs≠Zin、ZL≠Zout時,EMI信號會在其輸入和輸出端產(chǎn)生反射,增加對EMI信號的衰減。其信號的衰減A與反射Γ的關(guān)系為:A=–10Lg(1-|Γ|2)。

  在使用開關(guān)電源濾波器時,要注意濾波器在額定電流下的電源頻率。在安裝濾波器時,要特別注意濾波器的輸入導(dǎo)線與輸出導(dǎo)線的間隔距離,不能把它們捆在一起走線,否則EMI信號很容易從輸入線上耦合到輸出線上,這將大大降低濾波器的抑制效果。

  7 結(jié)語

  在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,為了少走彎路和節(jié)省時間,應(yīng)充分考慮并滿足抗干擾性的要求,避免在設(shè)計(jì)完成后去進(jìn)行抗干擾的補(bǔ)救措施。

二、基于UC3845的反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)

  引言

  反激式開關(guān)電源以其結(jié)構(gòu)簡單、元器件少等優(yōu)點(diǎn)在自動控制及智能儀表的電源中得到廣泛的應(yīng)用。開關(guān)電源的調(diào)節(jié)部分通常采用脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù),即在主變換器周期不變的情況下,根據(jù)輸入電壓或負(fù)載的變化來調(diào)節(jié)功率MOSFET管導(dǎo)通的占空比,從而使輸出電壓穩(wěn)定。脈寬調(diào)制的方法很多,本文中所介紹的是一種高性能的固定頻率電流型脈寬集成控制芯片UC3845。該芯片是專為離線的直流至直流變換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。其主要特點(diǎn)是具有內(nèi)部振蕩器、高精度誤差比較器、逐周電流取樣比較、啟動電流小、大電流圖騰柱輸出等,是驅(qū)動MOSFET的理想器件。

  1 UC3845簡介

  UC3845芯片為SO8或SO14管腳塑料表貼元件。專為低壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其欠壓鎖定門限為8.5v(通),7.6V(斷);電流模式工作達(dá)500千赫輸出開關(guān)頻率;在反激式應(yīng)用中最大占空比為0.5;輸出靜區(qū)時間從50%~70%可調(diào);自動前饋補(bǔ)償;鎖存脈寬調(diào)制,用于逐周期限流;內(nèi)部微調(diào)的參考源;帶欠壓鎖定;大電流圖騰柱輸出;輸入欠壓鎖定,帶滯后;啟動及工作電流低。

  芯片管腳圖及管腳功能如圖1所示。

  圖1 UC3845芯片管腳圖

  1腳:輸出/補(bǔ)償,內(nèi)部誤差放大器的輸出端。通常此腳與腳2之間接有反饋網(wǎng)絡(luò),以確定誤差放大器的增益和頻響。

  2腳:電壓反饋輸入端。此腳與內(nèi)部誤差放大器同向輸入端的基準(zhǔn)電壓(2.5 V)進(jìn)行比較,調(diào)整脈寬。

  3腳:電流取樣輸入端。

  4腳:R T/CT振蕩器的外接電容C和電阻R的公共端。通過一個電阻接Vref通過一個電阻接地。

  5腳:接地。

  6腳:圖騰柱式PWM輸出,驅(qū)動能力為土1A.

  7腳:正電源腳。

  8腳:V ref,5V基準(zhǔn)電壓,輸出電流可達(dá)50mA.

  2 設(shè)計(jì)方法

  如圖2為基于U C3845反激式開關(guān)電源的電路圖,虛線框內(nèi)為UC3845內(nèi)部簡化方框圖。

  1)啟動電壓和電容的選擇

  交流電源115VAC經(jīng)整流、濾波后為一個紋波非常小的直流高壓Udc,該電壓根據(jù)交流電源范圍往往可得到一個最大Udcmax, 一 和最小電壓Udcmin 。

  當(dāng)直流輸入電壓大于1 44V以上時,U C3845應(yīng)啟動開始工作,啟動電阻應(yīng)由線路直流電壓和啟動所需電流來確定。

  根據(jù)UC3845的參數(shù)分析可知,當(dāng)啟動電壓低于8.5V時,UC3845的整個電路僅消耗lmA的電流,即UC3845的典型啟動電壓為8.5V,電流為1mA.加上外圍電路損耗約0.5mA,即整個電路損耗約1.5mA.在輸入直流電壓為最小電壓 Ddcmmn時,啟動電阻Rin的計(jì)算如下:

  圖2 基于UC3845反激式開關(guān)電源的電路圖

  啟動過程完成后,UC3845的消耗電流會隨著MOSFET管的開通增至100mA左右。該電流由啟動電容在啟動時儲存的電荷量來提供。此時,啟動電容上的電壓會發(fā)生跌落到7.6V以上,要使UC3845fj~保持工作,反饋繞組L 應(yīng)能及時提供饋電電壓。如電壓低于7.6V欠壓比較器動作,PWM輸出低電平。自饋電時間由UC3845的開關(guān)周期決定,取U C3845的振蕩頻率 54kHz.啟動電容的容量可由下式計(jì)算得到:

 2)反饋繞組的匝數(shù)計(jì)算

  Ns=Np(Vcc+0.8)(1一Dmax)/(UdcminiDmax ),NP其中為變壓器初級匝數(shù)。

  3)濾波

  為濾除供電端的高頻信號,Vcc對地接一個瓷片電容,在PCB布線時要注意,不能有電感成分的介入,以免產(chǎn)生干擾,引成電路不穩(wěn)定。

  4)占空比D

  UC3845會根據(jù)輸入電壓的變化來調(diào)整其工作的占空比。根據(jù)UC3845的參數(shù)要求,設(shè)UC3845對應(yīng)最低直流電壓輸入時最大占空比Dmax=0.5.

  當(dāng)輸入直流電壓在144V和177V范圍內(nèi),UC3845的占空比的范圍為:

  5)調(diào)制頻率f

  振蕩器OSC的頻率由定時元件RT和CT選擇值決定。電容CT由參考電壓V ref(=5V)通過電阻R充電,充至2.8V,再由內(nèi)部電流宿放電到1.2V,形成鋸齒波脈沖信號,如圖3.不管在大RT 小CT還是大CT小RT,振蕩器充電時鎖存器置位輸入方波為低電平,放電時輸入方波為高電平。
  當(dāng)鎖存器置位輸入方波為高電平時,或非門輸出始終為低電平,封鎖PWM,這段時問由內(nèi)部振蕩器OSC放電過程時間決定。在鎖存器置位輸入方波下降沿同時,如或非門其他三個輸入信號輸入無效電平時,或非門輸出為高電平,MOSFET管導(dǎo)通。

  其他三個輸入信號分別為:一個為電流取樣比較器輸出,一個為誤差放大器輸出,一個為輸入欠壓比較器輸出。
  為濾除參考端的高頻信號,V 對地接一個瓷片電容,在PCB布線時要注意,不能有電感成分的介人,以免產(chǎn)生干擾,引成電路振蕩打隔。

  OSC振蕩頻率f=1.8/(RtCt), 當(dāng)取RT=33kf2,CT=1000PF,f=-54kHz.

  6)電流取樣比較

  在圖2中,MOSFET管導(dǎo)通時,Udc =Ldi/dt,變壓器電感電流以斜率Udc/L線性增長,L為變壓器的初級電感。在MOSFET管的源極與地間串接一個無感取樣電阻Rs,將變壓器的初級電流轉(zhuǎn)換成取樣電壓Ud =RS i.在輸出同樣的功率下,輸入直流電壓越小,變壓器一次電流也越大,通過MOSFET管的電流也越大。為保護(hù)M0SFET管不致?lián)p壞, 需計(jì)算電感峰值電流Ip=2P/(UdcminUmax )。選擇功率MOSFET管的最大峰值電流Icmax應(yīng)大于1.3Ip.

  取樣電壓Ud經(jīng)RC濾波后,送到UC3845的3腳。當(dāng)該電壓超過lV時,比較器輸出高電平,送到RS鎖存器的復(fù)位端,PWM輸出為低電平,使PWM的占空比減小,從而限制電感峰值電流。

  無感取樣電阻尺。的電阻值為:Rs=l/Ip,功率1W.而RC濾波器的時間常數(shù)接近尖脈沖的持續(xù)時間,否則引起電源輸出的不穩(wěn)定。取R=lk,C=470PF.

  7)誤差比較器

  Vref經(jīng)電阻分壓為2.5V接至誤差比較器的正端,而負(fù)端(2腳)接外部監(jiān)測電壓輸入。誤差比較器(1腳)輸出用于外部回路的補(bǔ)償,如圖2,輸出電壓因兩個二極管壓降而失調(diào)(=1.4V),并在連接到取樣比較器反向輸入端之前被三分。2腳和1腳間接一個RC網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行環(huán)路補(bǔ)償。取R 11=150kQ,C11=100PF.

  外部監(jiān)測電壓輸入端(2腳)可用于對輸出回路引入電壓反饋環(huán)節(jié),如對主輸出回路5V的穩(wěn)定度要求不高,可將饋電電壓引入,以監(jiān)測輸出回路過電壓。Vcc經(jīng)電阻分壓接到UC3845~b部監(jiān)測電壓輸入端,當(dāng)由于某種原因,輸出回路電壓升高時, 外部監(jiān)測電壓輸入端大于2.5V, 誤差比較器輸出小于2.5V,結(jié)合電流取樣比較輸入電壓,PWM輸出為低電平, 使PWM的占空比減小, 輸出回路電壓減小。如果對主回路輸出5V電壓的精度有要求。應(yīng)采用反饋電路由光耦PC817、TL431及與之相連的阻容網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。其控制原理如下:

  主回路5V輸出輸出電壓經(jīng)電阻分壓后得到采樣電壓,此采樣電壓與TL43 l提供的2.5V參考電壓進(jìn)行比較,當(dāng)輸出電壓正常(5V)時,采樣電壓與TL43l提供的2.5V參考電壓相等則TL431的K極電位不變,流過光耦二極管的電流不變,流過光耦的電流不變,UC3845的2腳輸入電壓不變,1腳電位穩(wěn)定,6腳輸出PWM驅(qū)動的占空比不變,輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值不變。

  當(dāng)輸出5V電壓因?yàn)槟撤N原因偏高時,經(jīng)電阻分壓值就會大于2.5V,則TL431的K極電位下降,流過光耦二極管的電流增大,則流過光耦的電流增大,UC3845的2腳輸入電壓上升到大于2.5V,l腳電位下降,6腳輸出驅(qū)動脈沖PWM的占空比下降,輸出電壓降低,這樣就完成了主回路輸出電壓反饋穩(wěn)壓的作用。

  3 結(jié)束語

  實(shí)踐證明,基于UC3845的反激式開關(guān)電源具有輸入電壓范圍寬、輸出電壓精度高、負(fù)載的調(diào)整效率高等特點(diǎn)。本電源應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)電測儀表中,收到了良好的效果,具有一定的推廣價值。

三、開關(guān)電源中浪涌電流抑制模塊的應(yīng)用

  1 上電浪涌電流

  目前,考慮到體積,成本等因素,大多數(shù)AC/DC變換器輸入整流濾波采用電容輸入式濾波方式,電路原理如圖1所示。由于電容器上電壓不能躍變,在整流器上電之初,濾波電容電壓幾乎為零,等效為整流輸出端短路。如在最不利的情況(上電時的電壓瞬時值為電源電壓峰值)上電,則會產(chǎn)生遠(yuǎn)高于整流器正常工作電流的輸入浪涌電流,如圖2所示。當(dāng)濾波電容為470μF并且電源內(nèi)阻較小時,第一個電流峰值將超過100A,為正常工作電流峰值的10倍。

  浪涌電流會造成電源電壓波形塌陷,使得供電質(zhì)量變差,甚至?xí)绊懫渌秒娫O(shè)備的工作以及使保護(hù)電路動作;由于浪涌電流沖擊整流器的輸入熔斷器,使其在若干次上電過程的浪涌電流沖擊下而非過載熔斷。為避免這類現(xiàn)象發(fā)生,而不得不選用更高額定電流的熔斷器,但將出現(xiàn)過載時熔斷器不能熔斷,起不到保護(hù)整流器及用電電路的作用;過高的上電浪涌電流對整流器和濾波電容器造成不可恢復(fù)的損壞。因此,必須對帶有電容濾波的整流器輸入浪涌電流加以限制。

  2 上電浪涌電流的限制

  限制上電浪涌電流最有效的方法是,在整流器與濾波電容器之間,或在整流器的輸入側(cè)加一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC),如圖3所示。利用負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻在常溫狀態(tài)下具有較高阻值來限制上電浪涌電流,上電后由于NTC流過電流發(fā)熱使其電阻值降低以減小NTC上的損耗。這種方法雖然簡單,但存在的問題是限制上電浪涌電流性能受環(huán)境溫度和NTC的初始溫度影響,在環(huán)境溫度較高或在上電時間間隔很短時,NTC起不到限制上電浪涌電流的作用,因此,這種限制上電浪涌電流方式僅用于價格低廉的微機(jī)電源或其他低成本電源。而在彩色電視機(jī)和顯示器上,限制上電浪涌電流則采用串一限流電阻,電路如圖4所示。最常見的應(yīng)用是彩色電視機(jī),這種方法的優(yōu)點(diǎn)是簡單,可靠性高,允許在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,其缺點(diǎn)是限流電阻上有損耗,降低了電源效率。事實(shí)上整流器上電處于穩(wěn)態(tài)工作后,這一限流電阻的限流作用已完成,僅起到消耗功率、發(fā)熱的負(fù)作用,因此,在功率較大的開關(guān)電源中,采用上電后經(jīng)一定延時后用一機(jī)械觸點(diǎn)或電子觸點(diǎn)將限流電阻短路,如圖5所示。這種限制上電浪涌電流方式性能好,但電路復(fù)雜,占用體積較大。為使應(yīng)用這種抑制上電浪涌電流方式,象僅僅串限流電阻一樣方便,本文推出開關(guān)電源上電浪涌電流抑制模塊。

  3 上電浪涌抑制模塊

  3.1 帶有限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊

  將功率電子開關(guān)(可以是MOSFET或SCR)與控制電路封裝在一個相對很小的模塊(如400W以下為25mm×20mm×11mm)中,引出3~4個引腳,外接電路如圖6(a)所示。整流器上電后最初一段時間,外接限流電阻抑制上電浪涌電流,上電浪涌電流結(jié)束后,模塊導(dǎo)通將限流電阻短路,這樣的上電過程的輸入電流波形如圖6(b)所示。很顯然上電浪涌電流峰值被有效抑制,這種上電浪涌電流抑制模塊需外接一限流電阻,用起來很不方便,如何將外接電阻省掉將是電源設(shè)計(jì)者所希望的。

  3.2 無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊

  有人提出一種無限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖7(a)所示,其上電電流波形如圖7(b)所示,其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象,但不影響電路工作。從原理上講,這種電路是可行的,但在使用時則有如下問題難以解決:如220V輸入的400W開關(guān)電源的上電電流至少需要達(dá)到4A,如上電時剛好是電網(wǎng)電壓峰值,則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率,也遠(yuǎn)超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率,即使是APT的線性MOSFET也只有450W的額定耗散功率。因此,如采用IRF840或IRFP450的結(jié)果是,MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過程便可能被熱擊穿,而且從成本上看,IRF840的價格可以接受,而IRFP450及IRFP460則難以接受,APT的線性MOSFET更不可能接受。

  欲真正實(shí)現(xiàn)無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊,需解決功率器件在上電過程的功率損耗問題。作者推出的另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是,使功率器件工作在開關(guān)狀態(tài),從而解決了功率器件上電過程中的高功率損耗問題,而且電路簡單。電路如圖8(a)和圖8(b)所示,上電電流波形如圖8(c)所示。

  3.3 測試結(jié)果

  A模塊在400W開關(guān)電源中應(yīng)用時,外殼溫升不大于40℃,允許間隔20ms的頻繁重復(fù)上電,最大峰值電流不大于20A,外形尺寸25mm×20mm×11mm或  35mm×25mm×11mm。

  B模塊和C模塊用于800W的額定溫升不大于40℃,重復(fù)上電時間間隔不限,上電峰值電流為正常工作時峰值電流的3~5倍,外形尺寸35mm×30mm×11mm或者50mm×30mm×12mm。

  模塊的鋁基板面貼在散熱器上,模塊溫度不高于散熱器5℃。

  4 結(jié)語

  開關(guān)電源上電浪涌電流抑制模塊的問世,由于其外接電路簡單,體積小給開關(guān)電源設(shè)計(jì)者帶來了極大方便,特別是無限流電阻方案,國內(nèi)外尚未見到相關(guān)報道。同時作者也將推出其它沖擊負(fù)載(如交流電機(jī)及各種燈類等)的上電浪涌電流抑制模塊。

四、開關(guān)電源中電磁干擾的抑制方法

  引言

  隨著開關(guān)電源技術(shù)的不斷發(fā)展和日趨成熟,各個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?a href="http://www.parroquiavalmojado.com" target=_blank>開關(guān)電源的需求也不斷增長,但是,開關(guān)電源存在嚴(yán)重的電磁干擾()問題。它不僅對電網(wǎng)造成污染,直接影響到其它用電電器的正常工作,而且作為輻射干擾闖入空間,對空間也造成電磁污染。于是便產(chǎn)生了開關(guān)電源的電磁兼容(EMC)問題。電磁兼容是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。

  開關(guān)電源的電磁干擾可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩大類。傳導(dǎo)干擾通過交流電源傳播,頻率低于30 MHz。輻射干擾通過空氣傳播,頻率在30MHz以上。

  本文針對一種桌面式180W塑殼開關(guān)電源(負(fù)載是12V/15A的半導(dǎo)體制冷冰箱,電源外形大小205mm×90mm×62mm)所存在的電磁干擾超標(biāo)問題,從原理上進(jìn)行了分析,并探討了解決方案。

  1 180 W開關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)分析與電磁干擾測試

  1.1 主電路與結(jié)構(gòu)布局分析

  該開關(guān)電源的電路原理如圖1所示。

  電容濾波整流器功率因數(shù)低,整流二極管導(dǎo)通時間較短,濾波電容充電電流瞬時值的峰值大,整流后的電流波形為脈動狀,產(chǎn)生高的諧波電流。

  半橋電路中高頻導(dǎo)通和截止的S1、S2、D3、D4和變壓器T1是開關(guān)電源的主要騷擾源,產(chǎn)生高頻高壓的尖峰諧波振蕩,該諧波振蕩產(chǎn)生的高次諧波,通過開關(guān)管與散熱器問的分布電容傳入內(nèi)部電路或通過散熱器及變壓器向空間輻射。

  該開關(guān)電源的內(nèi)部布局如圖2所示,左邊是交流電源輸入和直流輸出,靠左邊上下兩側(cè)留有通風(fēng)孔,風(fēng)機(jī)在右邊,采用向外抽風(fēng)方式散熱,保證塑殼內(nèi)的熱量及時排出,避免熱量在塑殼內(nèi)積聚。該布局的優(yōu)點(diǎn)是通風(fēng)路比較通暢,但也存在缺點(diǎn)—輸入輸出接口安裝得較近,在它們之間容易產(chǎn)生空間耦合,形成輻射騷擾。

  1.2 電磁干擾測試

  表l所列為測得的7~21次諧波電流的數(shù)值,其中11、15、17次諧波電流都超標(biāo)。

  輻射騷擾預(yù)測結(jié)果在30~50MHz和100MHz處超出限值,如圖4所示。

  2 電磁干擾的抑制

  2.1 諧波電流的抑制

  采用功率因數(shù)校正可以解決諧波電流超標(biāo)的問題。有源功率因數(shù)校正采用Boost升壓PFC電路,功率因數(shù)提高到O.99以上,使得諧波電流很小,但電路復(fù)雜,成本也不低,而且電路中的開關(guān)管和高壓整流二極管的開關(guān)噪聲將成為新的騷擾源,使整機(jī)的EMI達(dá)標(biāo)增加了難度。

  考慮到在交流輸入電壓(AC 220~250V)范圍內(nèi),滿足電壓調(diào)整率情況下,適當(dāng)減小濾波電容,輸入串聯(lián)電阻可以在一定程度上降低濾波電容充電電流瞬時值的峰值,滿足諧波電流限值,且功率損耗在可以接受的范圍之內(nèi),整機(jī)電源效率下降不多,也不失為較好方法。采用這一方法后實(shí)測諧波電流值如表2所列。

  2.2傳導(dǎo)騷擾的抑制

  傳導(dǎo)噪聲主要來源半橋中功率開關(guān)管S1及S2以頻率25 kHz交替工作,功率開關(guān)管集電極發(fā)射極電壓Uce和發(fā)射極電流,。波形接近矩形波。傅立葉分析表明,矩形波脈沖具有相當(dāng)寬的頻率帶寬,含有豐富的高次諧波,脈沖波形的頻譜幅度在低頻段較高。另外,功率開關(guān)管在截止期間.高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會產(chǎn)生尖峰干擾。

  輸入濾波器是為變換器的電磁騷擾電平和外界的電磁騷擾源設(shè)計(jì)的一種低阻抗通道(即低通濾波器),以抑制或去除電磁騷擾,達(dá)到電磁兼容的目的。

  如圖5所示,輸人濾波器是由電感(LFI、LF2)和CY電容(C4、C5)及Cx電容(C1、C2、C3)組成的低通濾波器電路構(gòu)成。對頻率較高的噪聲信號有較大的衰減。C1、C2、C3是濾除共模干擾的電容,C4、C5是濾除差模干擾的電容,LF1、LF2是共模線圈。

  圖3中低頻傳導(dǎo)干擾(O.15~lMHz范圍)超標(biāo),共模噪聲的主要騷擾源是功率開關(guān)管,低頻傳導(dǎo)干擾抑制以增加共模電感的電感量為主,當(dāng)共模電感從原設(shè)計(jì)的15mH增加到24mH時,低頻傳導(dǎo)干擾最大處下降30dB,得到了顯著改善。如圖6所示。
  輸入濾波器對20MHz以下噪聲抑制有明顯的效果。理想輸入濾波器是低通濾波器,但實(shí)際上是帶阻濾波器

  當(dāng)開關(guān)電源頻率增加時,所需的共模電感可大大減小,共模電感體積也減小。但是,開關(guān)電源在20MHz以上頻帶的輻射噪聲份量有所增加,給輻射騷擾的達(dá)標(biāo)帶來麻煩。開關(guān)頻率和共模電感的關(guān)系如表3所列。

  由于共模電感線圈存在寄生電容,高頻噪聲成分經(jīng)過寄生電容向外發(fā)射騷擾,故使用單個大感量共模電感不容易達(dá)到好的高頻濾波效果,一般采用兩個共模電感,同樣的電感量抑制高頻噪聲很見效,將有6dB以上的差值。

  Cx電容器高頻阻抗頻率特性是一個關(guān)系電磁騷擾抑制效果的重要參數(shù)。電容器在高頻使用時等效為r(等效串聯(lián)電阻)+c+L(等效串聯(lián)電感)電路。由于電容器自身的固有電感(即等效串聯(lián)電感)存在,在頻率低的范圍,電容器電抗呈容性,在頻率高的范圍,電容器電抗呈感性,這時抑制騷擾的能力就明顯下降。電容器的固有引線電感越小和騷擾源的高頻內(nèi)阻抗越大,則抑制騷擾的效果越好。

  首先,從電磁騷擾源產(chǎn)生的機(jī)理人手,查找輻射騷擾源的所在,從根本上降低其產(chǎn)生輻射騷擾噪聲的電平。在輸出電壓比較低的情況下,輸出整流器和平滑電路的干擾可能比較

  嚴(yán)重+通過減小環(huán)路面積可以抑制di/dt環(huán)路產(chǎn)生的磁場輻射。整流及續(xù)流二極管工作在高頻開關(guān)狀態(tài),也是個高頻騷擾源。二極管的引線寄生電感、結(jié)電容的存在以及反向恢復(fù)電流的影響,使之工作在很高的電壓及電流變化率下,且產(chǎn)生高頻振蕩,二極管反向恢復(fù)的時間也越長,則尖峰電流的影響也越大。

  C4及Cs的引線和連接地引線應(yīng)盡量短,以使接地阻抗盡量小,噪聲能經(jīng)過電容旁路到地線,C4及C5取較大電容量濾波效果好,但是,隨著電容量的增加泄漏電流也增加了,而泄漏電流值是電氣安全中的重要指標(biāo),決不允許超過規(guī)定數(shù)值一一般的漏電流限制是3.5 mA,此桌面式塑殼開關(guān)電源屬手持式設(shè)備,最大漏電流限制為O.75 mA,實(shí)測值為O.55mA。

  電源輸入線纜要短,濾波器盡量靠近輸入端口,避免濾波器輸入輸出發(fā)生耦合,而失去濾波作用。接地盡量簡短可靠,減小高頻阻抗,使干擾有效旁路。經(jīng)過數(shù)次整改后,得到滿意的結(jié)果如圖7所示。

  2.3輻射騷擾的抑制

  輻射騷擾足指由任何部件、天線、電纜或連接線輻射的電磁干擾。

  通常在電路元件布局上,應(yīng)盡量使輸入交流和輸出直流插座(包括引線)分開并遠(yuǎn)離。采用一端輸入另一端輸出是.種合理的布局。但考慮電源內(nèi)部散熱通風(fēng),該電源采用圖2的散熱結(jié)構(gòu)。不可回避的問題是輸入輸出線纜之間可能發(fā)生空間耦合,當(dāng)有高頻傳導(dǎo)電流通過時就會產(chǎn)生強(qiáng)烈的輻射。

  首先,從電磁騷擾源產(chǎn)生的機(jī)理入手,查找輻射騷擾源的所在,從根本上降低其產(chǎn)生輻射騷擾噪聲的電平。在輸出電壓比較低的情況下,輸出整流器和平滑電路的干擾可能比較嚴(yán)重,通過減小環(huán)路面積可以抑制di/dt環(huán)路產(chǎn)生的磁場輻射。整流及續(xù)流二極管工作在高頻開關(guān)狀態(tài),也是個高頻騷擾源。二極管的引線寄生電感、結(jié)電容的存在以及反向恢復(fù)電流的影響,使之工作在很高的電壓及電流變化率下,且產(chǎn)生高頻振蕩,二極管反向恢復(fù)的時間也越長,則尖峰電流的影響也越大。

  鐵氧體磁環(huán)和磁珠使用方便,價格便宜,抑制電磁干擾效果明顯。鐵氧體電感的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路,L和R都是頻率的函數(shù)。電阻值隨著頻率增加而增加,這樣就構(gòu)成了一個低通濾波器。低頻時R很小,L起豐要作用,電磁干擾被反射而受到抑制;高頻時R增大,電磁干擾被吸收并轉(zhuǎn)換成熱能,使高頻干擾大大衰減。不同的鐵氧體抑制元件,有不同的最佳抑制頻率范圍。通常磁導(dǎo)率越高,抑制的頻率就越低。此外,鐵氧體的體積越大,抑制效果越好。在體積一定時,長而細(xì)的形狀比短而粗的抑制效果好,內(nèi)徑越小抑制效果也越好。鐵氧體抑制元件應(yīng)當(dāng)安裝在靠近干擾源的地方。對于輸入、輸出電路,則應(yīng)盡量靠近屏蔽殼的進(jìn)、出口處。

  整流二極管使用肖特基二極管,其陽極套鐵氧體磁珠(φ3.5×φ1.3×3.5),直流輸出線纜用鐵氧體磁環(huán)繞(φ13.5×φ7.5×7)2.5圈且靠近出口處。整改后輻射干擾最大處下降了約lOdB,但40MHz和100 MHz處余量較小,準(zhǔn)峰值測試僅有5dB裕量。考慮到認(rèn)證過程繁瑣,周期長,而且各個認(rèn)證檢測服務(wù)中心之間允許有2~3dB的誤差,產(chǎn)品的預(yù)測應(yīng)在6dB以上的裕量為合適,如圖8所示。

  鐵氧體磁珠、鐵氧體磁環(huán)的使用對騷擾源噪聲的抑制有了較大改善,如仍還不能滿足要求,只好采用屏蔽措施,在輸入輸出之間用2mm厚的鋁板隔離,以切斷通過空間耦合形成的電磁噪聲傳播途徑。結(jié)果輻射騷擾噪聲裕量達(dá)到了12dB以上,抑制噪聲效果相當(dāng)明顯。通過以上措施大3m法電波暗室與IOm法電波暗室測試規(guī)定限值的轉(zhuǎn)換:由于標(biāo)準(zhǔn)GB9254認(rèn)定ITE(信息技術(shù)設(shè)備)在10m測量距離處得到輻射騷擾限值,而較多的EMC檢測服務(wù)中心是在3m電波暗室內(nèi)測試,因?yàn)閳鰪?qiáng)大小與距離成反比,所以在3m法中測得的噪聲電平比在10m法時的噪聲電平值要下降10 dB。

  圖4、圖8、圖9是由3m法電波暗室測得,其輻射騷擾限值為30~230MHz準(zhǔn)峰值限值40dB,230~1000MHz準(zhǔn)峰值限值47dB。圖10是由10m法電波暗室測得,圖9與圖lO比較,輻射噪聲波形相差不多。僅在兒個頻率點(diǎn)的噪聲電平略有增加。

  3 結(jié)語

  經(jīng)過以上的整改后,再次測試l80W電源的電磁兼容完全達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。在電源設(shè)計(jì)初期解決EMI問題,結(jié)構(gòu)尚未定型,可選用的方法多,有利于降低成本。

  除以上所述的抑制措施外,還有其它一些方案,但設(shè)計(jì)方案都要兼顧電源成本。

  與EMI相關(guān)的因素多且復(fù)雜,僅做到上述的幾點(diǎn)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,還有接地技術(shù)、PCB布局走線等都是很重要的。電磁兼容的設(shè)計(jì)任重而道遠(yuǎn),我們要不斷進(jìn)行研究,以使我國的電子產(chǎn)品電磁兼容水平與國際同步。


 


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 ^ 工程師不可不知的開關(guān)電源關(guān)鍵設(shè)計(jì)(三)